Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Dc Collectorbase Gain Hfe Min
- 10
- Kılıf / Paket
- SOT-123
- Ambalaj
- Tray
- Pd Power Dissipation
- 36 W
- Transistor Type
- Bipolar Power
- Technology
- Si
- Tip
- RF Bipolar Power
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 200 C
- RoHS
- Non-Compliant
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
- Montaj Stili
- Screw Mount
- Emitter Base Voltage Vebo
- 4 V
- Transistor Polarity
- NPN
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 18 V
- Maximum Dc Collector Current
- 8 A
- Operating Frequency
- 250 MHz
- Ürün Tipi
- RF Bipolar Transistors
- Continuous Collector Current
- 3 A
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors